DETERMINACIÓN DE LA CONCENTRACIÓN DE CARBONO Y OXÍGENO EN SILICIO POR ABSORCIÓN INFRARROJA

Abstract

El control de los niveles de contaminación por diversas impurezas durante el crecimiento de silicio monocristalino es un requerimiento básico en la fabricación de este semiconductor. Se ha puesto a punto la técnica para determinar la concentración de oxígeno intersticial y carbono sustitucional por espectrometría infrarroja. Estos elementos son las impurezas predominantes durante el tiraje de los monocristales crecidos por Czochralski. Se presentan los resultados para uno de los lingotes crecidos en la división y se estiman los errores del método para distintos tipos de muestras.