CREACIÓN DE TRAMPAS Y ESTADOS DE INTERFASE EN PELÍCULAS DELGADAS DE OXINITRURO DE SILICIO EN ESTRUCTURAS M.O.S.

Abstract

Se investigó la degradación de películas delgadas de óxido de silicio nitrurado en plasma de amonia, incorporadas como aislante de grilla en estructuras Metal Óxido Semiconductor sometidas a inyección de carga por efecto túnel. Comparando con resultados obtenidos sobre películas de SiO2 de tecnología standard, se observa una tasa de creación de trampas inferior por un factor 2 y una creación de estados superficiales en la interface con el silicio menor por un orden de magnitud.