CREACIÓN DE TRAMPAS Y ESTADOS DE INTERFASE EN PELÍCULAS DELGADAS DE OXINITRURO DE SILICIO EN ESTRUCTURAS M.O.S.

Authors

  • A Faigón Universidad de Buenos Aires
  • A Stravoni Universidad de Buenos Aires
  • E Miranda Universidad de Buenos Aires
  • G Redin Universidad de Buenos Aires

Abstract

Se investigó la degradación de películas delgadas de óxido de silicio nitrurado en plasma de amonia, incorporadas como aislante de grilla en estructuras Metal Óxido Semiconductor sometidas a inyección de carga por efecto túnel. Comparando con resultados obtenidos sobre películas de SiO2 de tecnología standard, se observa una tasa de creación de trampas inferior por un factor 2 y una creación de estados superficiales en la interface con el silicio menor por un orden de magnitud.


Author Biographies

A Faigón, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

A Stravoni, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

E Miranda, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

G Redin, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

Published

2013-09-22