CINÉTICA DE FOTO-OXIDACIÓN DEL SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO

Authors

  • A Jimenez Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Universidad Autónoma de Puebla CIDS-ICUAP
  • G D Ruano Instituto Balseiro, Centro Atómico Bariloche
  • L N Acquaroli Instituto de Física del Litoral (CONICET-UNL)
  • G García Salgadoa Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Universidad Autónoma de Puebla CIDS-ICUAP
  • J Ferron Instituto de Física del Litoral (CONICET-UNL) Departamento de Ingeniería de Materiales, Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral
  • R D Arce Instituto de Física del Litoral (CONICET-UNL) Departamento de Ingeniería de Materiales, Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral
  • R R Koropecki Instituto de Física del Litoral (CONICET-UNL) Departamento de Ingeniería de Materiales, Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral

Abstract

Durante la recombinación bimolecular de portadores fotogenerados en silicio poroso nanoestructurado, la energía puede relajar en forma no radiativa a través de fluctuaciones de alta energía y corta vida (SLEFs) que provocan movimiento de átomos de hidrógeno presentes en la superficie de los poros, pudiendo incluso exodifundir. Durante estas fluctuaciones se producen además enlaces colgantes que generan estados de defecto, atenuando la luminiscencia del material. La creación de enlaces colgantes, el decaimiento de la fotoluminiscencia y catodoluminiscencia, y la exodifusión de hidrógeno responden a la misma cinética determinada por la existencia de SLEFs. Se muestra que la cinética de foto-oxidación del silicio poroso preparado bajo condiciones de iluminación intensa puede explicarse con un modelo que contempla como factor limitante al cubrimiento superficial con hidrógeno, controlado por SLEFs.

Published

2014-09-20

Issue

Section

Condensed Matter