Semiconductor properties og titaniun oxide formed on glass/Ti/Tio2 substrates in diluted acid solution

Abstract

El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO₂) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO₂ crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de    E_f = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO₄. Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO₂ presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 10²² cm^-3. Finalmente, el óxido anódico  formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO₂ fue estable antes y después de los ensayos realizados.