DECAIMIENTO DE LA FOTOLUMINISCENCIA EN SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO OBTENIDO A PARTIR DE MATERIAL TIPO N DE ALTA RESISTIVIDAD
Abstract
En este trabajo realizamos un estudio por Espectroscopía Infrarroja y Fotoluminiscencia de los efectos fotoinducidos en muestras de Silicio Poroso. Las muestras fueron obtenidas por ataque electroquímico de obleas de silicio cristalino de distintos tipos. Para el material tipo p se obtuvieron resultados coincidentes con los ya reportados en otros trabajos de nuestro grupo, que pueden interpretarse en base a la oxidación fotoinducida de las muestras. Los efectos de confinamiento cuántico cambian en forma discreta el espectro de luminiscencia cuando se produce la oxidación de la estructura de "alambres cuánticos" que conforma al silicio poroso. En el material tipo n de alta resistividad, se observa una disminución gradual de la intensidad de luminiscencia, que es atribuida a la generación fotoinducida de estados de defecto en la capa superficial que rodea a los alambres cuánticos. Este modelo explica cuantitativamente bien la cinética de evolución de los espectros medidos de fotoluminiscencia y resonancia paramagnética electrónica.
