CORRELACIÓN DE MODELOS DE TRANSPORTE DE VRH PARA MUESTRAS DE SILICIO MICROCRISTALINO DOPADAS CON BORO
Abstract
En este trabajo se realizaron medidas de conductividad en un amplio rango de temperaturas (120 < T < 420 K) a películas delgadas de silicio microcristalino compensadas con Boro. Se estableció que el mecanismo de transporte para todas las muestras, en la región de altas temperaturas (T > 300K), presenta un comportamiento térmicamente activado con una única energía de activación que cambia con el grado de compensación. Para la región de bajas temperaturas se encontró que el transporte de portadores es controlado por Hopping de Rango Variable (VRH), con excepción de la muestra con concentración de Boro más baja. Se presenta un método desarrollado denominado Modelo Difusional que permite calcular los parámetros de hopping y correlacionarlos con los obtenidos a partir de la teoría de percolación, obteniendo a su vez un factor numérico que los corrige.
