DETERMINACIÓN DE LAS FUNCIONES DIELÈCTRICAS DEL SEMICONDUCTOR PbI2

Abstract

Presentamos un estudio de la estructura electrónica y de las funciones dieléctricas del semiconductor ioduro de plomo, basado en cálculos realizados con el método Full Potential Linearized Augmented Plane Waves (FP-LAPW), dentro de la teoría de la funcional densidad (DFT), utilizando para el potencial de intercambio y correlación la aproximación del gradiente generalizado (GGA). Los resultados de la estructura electrónica indican un band gap directo en el borde de la zona de Brillouin correspondiente al eje mayor del cristal hexagonal de este semiconductor.
En el entorno de este punto tanto la banda de valencia superior como la banda de conducción inferior tienen un comportamiento parabólico, resultando el tope de la banda de valencia un estado principalmente s-Pb con cierta hibridación p-I. A partir de la estructura de bandas obtenida se encuentran funciones dieléctricas con cierta anisotropía, característica típica de los cristales uniaxiales. Nuestros resultados se muestran satisfactorios al ser comparados con los experimentos existentes, y con los calculados por otros métodos.