MODELADO DE CURVAS CORRIENTE TENSIÓN A OBSCURAS EN CELDAS SOLARES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO.
Abstract
El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPM.
