INFLUENCIA DEL MECANISMO DE CONDUCCIÓN SOBRE LA SENSIBILIDAD DE LA FASE (GAMMA)-Bi2M0O6 FRENTE A ESTÍMULOS QUÍMICOS GASEOSOS

Abstract

Los óxidos binarios de molibdeno y bismuto encuentran una amplia aplicación como catalizadores de oxidación selectiva en síntesis orgánica. Medidas de resistividad eléctrica, en aire, con excitación alterna de 50 ml' rms, a una frecuencia de 10 Hz hasta 800 °C, revelan que la resistividad de la fase (gamma)-Bi2M0O6 se caracteriza por dos regímenes de conducción diferentes. Entre temperatura ambiente y 450 °C, la conductividad está controlada por la componente de borde de grano con una energía de activación efectiva de 0.3 eV , por encima de esta temperatura, la componente intracristalina se vuelve dominante, la resistividad se reduce al rango de 4MOhmcm a 1.7 kOhmcm y la energía de activación es de 1.1 eV consistentemente con la aparición de fenómenos de conductividad iónica de oxígeno. En el régimen inferior la sensibilidad de la conductividad a la presencia de especies gaseosas es débil y carente de selectividad, debido a su dependencia de estados superficiales localizados, análogamente a otros semiconductores. Por encima de 450°C en cambio, la conductividad iónica media fenómenos de respuesta altamente selectivos a la presencia de etanol con total inmunidad a la presencia de especies reductoras como CO.