SENSIBILIDAD A H2 DE DISPOSITIVOS MOS CON COMPUERTA DE MOLIBDENO

Abstract

Se caracterizó la respuesta eléctrica al hidrógeno gaseoso de dispositivos MOS con compuerta de molibdeno. La sensibilidad del dispositivo se evaluó mediante características de capacidad-tensión en N2 y en H2 (1000 ppm en N2) a temperaturas de 77 y 125 °C, a 220 kHz. A 125°C el corrimiento negativo de la tensión de banda plana es de 240 mV, con un estímulo de 1000 ppm de H2 en N2.