ESTUDIO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EXPUESTOS A LA RADIACIÓN ESPACIAL

Abstract

El presente trabajo apuntó a estudiar procesos físicos que ocurren en dispositivos electrónicos sometidos a radiaciones espaciales. Por medio de algoritmos numéricos se realizó el modelado y la simulación de los dispositivos electrónicos. La descripción del comportamiento de estos dispositivos se logra mediante la resolución, en forma numérica, de las ecuaciones de Poisson y de continuidad en forma acoplada. Los efectos de la radiación tenidos en cuenta en este trabajo son los daños por desplazamiento de los átomos, lo que produce una disminución de la vida media de los portadores. Algunos de los resultados obtenidos pudieron ser comparados con mediciones experimentales, encontrándose una muy buena concordancia entre ambos, y corroborando la validez del modelo utilizado.