SOBRE LA VALIDEZ DEL MÉTODO DE FOTOCONDUCTIVIDAD MODULADA EN EL RÉGIMEN DE RECOMBINACIÓN PARA EL CÁLCULO DE DENSIDAD DE ESTADOS DE DEFECTO EN SEMICONDUCTORES

Abstract

En este trabajo, se estudian los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente en muestras semiconductoras amorfas y microcristalinas realizados en el régimen gobernado por recombinación. La influencia de la intensidad de luz empleada se analiza tanto experimentalmente como a través de simulaciones. Los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente realizados en el régimen gobernado por recombinación (RRMPC) se simulan a través de un programa de cálculo que tiene en cuenta todas las transiciones térmicas y ópticas, empleando un amplio rango de distribuciones de densidades de estado. La DOS se reconstruye en cada caso a partir de los resultados obtenidos por simulación, usando el método de RRMPC. Los resultados obtenidos usando diferentes intensidades de luz conducen a la definición empírica de un parámetro indicador, que permite evaluar la validez de las hipótesis del método RRMPC para un experimento particular. Se presentan como ejemplos medidas para muestras de silicio microcristalino y silicio amorfo hidrogenado.