INTERPRETACIÓN DE LOS MECANISMOS DE TRANSPORTE EN SILICIO MICROCRISTALINO INTRÍNSECO Y DOPADO

Abstract

Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable. A partir del modelo de Godet y con ecuaciones clásicas de la Teoría de Percolaciones, se calculó la densidad de estados en el nivel de Fermi, obteniendo valores que son consistentes con los obtenidos en otros experimentos independientes.