CRECIMIENTO PREFERENCIAL DE UNA FASE METAESTABLE EN LÁMINAS DE SILICIO NANOCRISTALINO

Abstract

La exposición concentrada de un láser de Ar estándar de 514,5 nm de un espectrómetro Raman sobre láminas delgadas de nc-Si, produce una cristalización preferencial tanto de la fase amorfa como de la cristalina. Dicha cristalización da lugar a la fase metaestable XII del silicio (R8), la cual se forma cuando el silicio es sometido a altas presiones (3- 9 GPa). Los resultados obtenidos con láminas depositadas sobre substratos de vidrio permiten explicar la presencia de la fase R8, la cual estaría producida por la compresión a la que la zona iluminada está sometida por el resto del material al dilatación por efecto del calentamiento localizado. La intensidad del pico Raman correspondiente a la fase R8 (̴ 353 cm-1) decrece con la fracción de cristalinidad de la lámina, y dicha fase podría ser parte del material tal como éste fue preparado (VHF-PÉCVD). La presencia de la fase R8 en láminas de nc-Si no ha sido reportada al presente. De acuerdo con los valores obtenidos en nuestras muestras, dicha presencia no afectaría las propiedades optoelectrónicas de las láminas.