ESTRUCTURA ELECTRÓNICA E INTERACCIONES HIPERFINAS DE COMPLEJOS Cd-P EN SILICIO

Abstract

Cd-P forma pares en Silicio dando origen a gradientes de campo eléctricos (EFG) cuya intensidad y simetría dependen de la estructura del par y su estado de carga. Mediante métodos de estructura electrónica ab-initio, se determinó que el átomo sonda Cd forma par con el P con energías de enlace de 1.31 eV y posee dos estados de cargas (0 y -1) con muy diferentes EFG. Este par a su vez puede pasivarse eléctricamente enlazando con una energía de 1.30 eV a un segundo átomo de P (formando el complejo estable Cd-P2 ). Los parámetros η, EFG calculados para Cd-P(0), Cd-P(-1) y Cd-P2 muestran un muy buen acuerdo con observaciones experimentales.