CARGA POSITIVA Y ESTADOS DE INTERFAZ EN ESTRUCTURAS MOS IRRADIADAS GAMMA

Abstract

Se han estudiado en este trabajo los corrimientos en la capacidad-tensión y corriente-tensión en transistores MOS irradiados con fuente gamma. Se analizaron los datos experimentales en términos de creación de carga positiva en el óxido y de estados electrónicos en la interfaz óxido-semiconductor, detallando las posibles combinaciones de carga y estados, consistentes con los resultados de las combinaciones. Se destaca en todos los casos una relación estrecha entre la cantidad de carga positiva que aparece en el óxido tras la irradiación con la cantidad de estados aceptores en la interfaz. Se comparan estos análisis con los que surgen de la aplicación del método de "midgap".