UN ESTUDIO CON ESPECTROSCOPÍA RAMAN DE PELÍCULAS DELGADAS DE SILICIO MICROCRISTALINO DOPADO TIPO P

Authors

  • S. B. Concari Facultad de Ingeniería Química (Universidad Nacional del Litoral).
  • R. H. Buitrago Facultad de Ingeniería Química (Universidad Nacional del Litoral). lnstituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas - Universidad Nacional del Litoral).
  • G. Risso Facultad de Ingeniería Química (Universidad Nacional del Litoral).
  • M. Cutrera lnstituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas - Universidad Nacional del Litoral).
  • M. Battioni lnstituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas - Universidad Nacional del Litoral).

Abstract

Se estudian las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas de películas delgadas microcristalinas de silicio tipo p, depositadas a muy baja temperatura en función de la concentración de diborano en los gases de reacción y de la naturaleza del sustrato. Las películas fueron depositadas; sobre vidrio corning 7059, acero inoxidable y un óxido trasparente conductor (TCO) en un reactor tipo VHF-PECVD, capacitivamente acoplado, empleando como gas de plasma una mezcla de silano altamente diluido con hidrógeno, y diborano. Los espectros de dispersión Raman revelan un claro efecto de la concentración de boro sobre la fracción de cristalinidad, evidenciada por un pico asimétrico alrededor de los 520 cm-1, ajustable por dos picos lorentzianos. Uno de ellos (520 cm-1) se corresponde con la dispersión fonónica en modo transversal óptico (TO) del seno del material y el otro (~ 510 cm-1) es interpretado en términos de una distribución no homogénea de grano o contribución fonónica de superficie intergranular. A pesar de la baja temperatura de deposición, el boro en altas concentraciones induce la formación de cristales (fracción cristalina superior al 90 %), y aún en concentraciones bajas, fracciones cristalinas superiores al 40 %

Author Biographies

S. B. Concari, Facultad de Ingeniería Química (Universidad Nacional del Litoral).

Departamento de Física.

R. H. Buitrago, Facultad de Ingeniería Química (Universidad Nacional del Litoral). lnstituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas - Universidad Nacional del Litoral).

Departamento de Física.

G. Risso, Facultad de Ingeniería Química (Universidad Nacional del Litoral).

Departamento de Física.

Published

2013-07-24