PROPIEDADES ÓPTICAS IN SITU DE SISTEMAS DE CAPAS MÚLTIPLES NANOESTRUCTURADAS

Authors

  • V.J. Toranzos Universidad Nacional del Nordeste
  • G.P. Ortiz Universidad Nacional del Nordeste
  • A.J. Busso Universidad Nacional del Nordeste
  • R.R. Koropecki Universidad Nacional del Litoral - CONICET

Abstract

Presentamos una técnica de medición de reflectancia en tiempo real para analizar, en el transcurso del anodizado electroquímico de Silicio, el crecimiento de una Película de Silicio Poroso (PSP). Empleando además la determinación independiente del espectro de reflectancia de la PSP seca, logramos correlacionar la porosidad y el espesor de la película con la densidad de corriente del anodizado. Esta información es útil para diseñar espejos dieléctricos con una sintonización óptima de su banda de reflexión.

Author Biographies

V.J. Toranzos, Universidad Nacional del Nordeste

Departamento de Física, Facultad de Ciencias Exactas

G.P. Ortiz, Universidad Nacional del Nordeste

Departamento de Física, Facultad de Ciencias Exactas

A.J. Busso, Universidad Nacional del Nordeste

Departamento de Física, Facultad de Ciencias Exactas

R.R. Koropecki, Universidad Nacional del Litoral - CONICET

Grupo Física de Materiales, Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química

Published

2008-06-11