PROPIEDADES ÓPTICAS IN SITU DE SISTEMAS DE CAPAS MÚLTIPLES NANOESTRUCTURADAS

Abstract

Presentamos una técnica de medición de reflectancia en tiempo real para analizar, en el transcurso del anodizado electroquímico de Silicio, el crecimiento de una Película de Silicio Poroso (PSP). Empleando además la determinación independiente del espectro de reflectancia de la PSP seca, logramos correlacionar la porosidad y el espesor de la película con la densidad de corriente del anodizado. Esta información es útil para diseñar espejos dieléctricos con una sintonización óptima de su banda de reflexión.