GRADIENTE DE CAMPO ELÉCTRICO EN IMPUREZAS UBICADAS EN SITIOS CATIÓNICOS DE SESQUIÓXIDOS CON ESTRUCTURA BIXBITA

Autores/as

  • F G Requejo Universidad Nacional De La Plata- CONICET
  • A G Bibiloni Universidad Nacional De La Plata- CONICET
  • A F Pasquevich Universidad Nacional De La Plata- CONICET
  • M Rentería Universidad Nacional De La Plata- CONICET
  • J Shitu Universidad Nacional De La Plata- CONICET
  • K P Freitag Und Kernphysik (Universität Bönn - Alemania)

Resumen

Se presentan en este trabajo los resultados de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas (CAP) obtenidos empleando la sonda 181Ta en los sistemas Gd2O3, Sc2O3, In2O3 y Sm2O3. Las caracterizaciones así obtenidas se evalúan junto con las realizadas sobre estos y otros compuestos de estructura bixbita. Dado que en aquellas se ha empleado además la sonda 111Cd es posible determinar la dependencia entre el gradiente de campo eléctrico (GCE) y la constante de red de la estructura para cada una de estas dos sondas. Analizando la relación entre los GCE en los dos sitios catiónicos de cada bixbita se encuentra que ella depende en forma lineal de la constante de red del compuesto. La proporcionalidad hallada entre la constante de red y el cociente entre los GCE para ambos sitios de la bixbita es independiente de la sonda utilizada en el experimento CAP dentro de un intervalo de confianza del 95% .

Biografía del autor/a

F G Requejo, Universidad Nacional De La Plata- CONICET

TENAES

A G Bibiloni, Universidad Nacional De La Plata- CONICET

TENAES

A F Pasquevich, Universidad Nacional De La Plata- CONICET

TENAES

M Rentería, Universidad Nacional De La Plata- CONICET

TENAES

J Shitu, Universidad Nacional De La Plata- CONICET

TENAES

K P Freitag, Und Kernphysik (Universität Bönn - Alemania)

Institut Für Strahlen

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Publicado

2013-08-18