INIERACCIONES HIPERFINAS DE 111Cd EN MONOCRISTALES DE InSe

Autores/as

  • J. Shitu Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.
  • L. Damonte Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.
  • L. Mendoza Zelis Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.
  • A. F. Pasquevich Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.
  • F. H. Sánchez Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.
  • B. Mari Universidad Politécnica de Valencia.

Resumen

El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de "switching" qué posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfinas de impurezas aceptoras de Cd, se llevaron a cabo determinaciones de Ias interacciones cuadrupolares eléctricas de impurezas de 111Cd en muestras mono y policristalinas de InSe, utilizando como técnica experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas. Se comparan los resultados obtenidos experimentalmente con cálculos teóricos realizados usando un modelo de cargas puntuales.

Biografía del autor/a

J. Shitu, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.

Departamento de Física.

L. Damonte, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.

Departamento de Física.

L. Mendoza Zelis, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.

Departamento de Física.

A. F. Pasquevich, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.

Departamento de Física.

F. H. Sánchez, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata.

Departamento de Física.

B. Mari, Universidad Politécnica de Valencia.

España.

Descargas

Publicado

2013-08-30