IMPLANTACIÓN POR RETROCESO

Resumen

Investigamos la posibilidad de dopar semiconductores mediante implantación por retroceso durante irradiación electrónica observando la variación de las propiedades eléctricas de los materiales. Construimos barreras tipo Schottky A u/p-Si y estructuras Sn/p-PbTe, que luego fueron irradiadas con electrones de 2.65 y 25 Mev de un acelerador lineal. Detectamos el nivel donar de Au en Si en las barreras irradiadas con 25 MeV utilizando la técnica de espectroscopía de niveles profundos, midiendo transitorios de corriente de fuga. La estructura Sn/p-PbTe formó una barrera de corriente rectificante luego de ser irradiada con 25 MeV, presumiblemente por la implantación de Sn. Estimamos que el método es útil para dopar cualquier semiconductor, aumentando el interés en la técnica si pudiera ser removido el daño producido por la irradiación.