INCREMENTO DE LA EFICIENCIA DE CELDAS SOLARES DE SILICIO AMORFO POR LA INCORPORACIÓN DE ZONAS CON BANDA PROHIBIDA Y DOPAJE VARIABLES

Resumen

Luego de calibrar los parámetros de nuestro código D-AMPS ajustando curvas corriente – tensión y respuesta espectral en celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado, lo utilizamos como herramienta de predicción para explorar posibles mejoras en las eficiencias de conversión de estas celdas. La implementación de perfiles continuos de boro (B) y de banda prohibida o “gap” decrecientes desde la interfaz p/i hacia el seno de la capa intrínseca redundan en un aumento de la eficiencia de conversión de la celda. Del mismo modo, la inclusión de perfiles de “gap” decrecientes desde la interfaz i/n hacia el seno de la capa intrínseca conllevan a una mejora de la eficiencia, pero no así perfiles similares de fósforo (P). Las simulaciones se realizaron utilizando el modelo de “Defect Pool” que predice una densidad de defectos no uniforme dentro de la capa intrínseca. El modelo de “Defect Pool” da lugar a predicciones cualitativas en coincidencia con las tendencias observadas experimentalmente mientras que el modelo convencional, que asume una densidad de estados uniforme dentro de cada capa del dispositivo, predice resultados que contradicen las evidencias experimentales.