PUNTOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES: EFECTOS DE FORMA Y CONFINAMIENTO DIELECTRICO

Resumen

En la actualidad, y gracias al avance de las técnicas experimentales, es posible construir puntos cuánticos semiconductores (PCs) con diversas geometrías (esférica, cúbica, piramidal) que en general están inmersos en una matriz con propiedades dieléctricas diferentes a las del propio PC. En este trabajo hemos estudiado el efecto combinado que tanto la forma como el confinamiento dieléctrico producen sobre las propiedades electrónicas de estos sistemas. Todas las propiedades fueron analizadas utilizando la aproximación de masa efectiva, suponiendo que el electrón y el hueco se encuentran confinados en el punto cuántico por barreras de potencial infinitas y haciendo uso de la aproximación de confinamiento fuerte que permite el cálculo de las interacciones a partir de un enfoque perturbativo. Encontramos que a pesar de que la densidad de cargas polarizadas sobre la superficie del PC cúbico es altamente inhomogénea, las propiedades electrónicas son prácticamente independientes de la forma para todo el rango de contraste dieléctrico considerado.