DOBLE CAPTURA ELECTRÓNICA A ESTADOS SIMPLE Y DOBLEMENTE EXCITADOS DEL PROYECTIL

Autores/as

  • H. F. Busnengo Instituto de Física Rosario CONICET-UNR.
  • A. E. Martínez Instituto de Física Rosario CONICET-UNR.
  • R. D. Rivarola Instituto de Física Rosario CONICET-UNR.
  • R. Gayet Centre de Physique Theoretique Et Des Modelisations Universite De Bordeaux.
  • J. Hanssen Institute de Physique.

Resumen

En el presente trabajo se analiza el proceso de doble captura electrónica en el marco de una aproximación de electrón independiente. Se calculan secciones eficaces totales correspondientes a los procesos de captura al estado fundamental como así también a estados simple y doblemente excitados del proyectil, por impacto de iones He2+, Li3+ y B5+ sobre blancos He(1s2). Las cálculos teóricos son llevados a cabo utilizando los modelos de onda distorsionada Continuum Distorted Wave-Eikonal lnitial State y Continuum Distorted Wave-Eikonal Final State. Los resultados obtenidos se comparan con cálculos previos correspondientes a la aproximación Continuum Distorted Wave y con los resultados experimentales disponibles.

Biografía del autor/a

R. Gayet, Centre de Physique Theoretique Et Des Modelisations Universite De Bordeaux.

Laboratoire des Collisions Atomiques. France.

J. Hanssen, Institute de Physique.

Laboratoire de Physique Moleculaire Et Des Collisions. France.

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Publicado

2013-08-01

Número

Sección

Física Atómica y Molecular