DECAIMIENTO DE LA FOTOLUMINISCENCIA EN SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO OBTENIDO A PARTIR DE MATERIAL TIPO N DE ALTA RESISTIVIDAD

  • G. Olmos CENMAT - Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral.
  • C. Spies CENMAT - Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral.
  • R. R. Koropecki CENMAT - Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral. INTEC-CONICET-UNL.
  • R. D. Arce INTEC-CONICET-UNL.
  • J. A. Sschmidt CENMAT - Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Litoral. INTEC-CONICET-UNL.

Resumen

En este trabajo realizamos un estudio por Espectroscopía Infrarroja y Fotoluminiscencia de los efectos fotoinducidos en muestras de Silicio Poroso. Las muestras fueron obtenidas por ataque electroquímico de obleas de silicio cristalino de distintos tipos. Para el material tipo p se obtuvieron resultados coincidentes con los ya reportados en otros trabajos de nuestro grupo, que pueden interpretarse en base a la oxidación fotoinducida de las muestras. Los efectos de confinamiento cuántico cambian en forma discreta el espectro de luminiscencia cuando se produce la oxidación de la estructura de "alambres cuánticos" que conforma al silicio poroso. En el material tipo n de alta resistividad, se observa una disminución gradual de la intensidad de luminiscencia, que es atribuida a la generación fotoinducida de estados de defecto en la capa superficial que rodea a los alambres cuánticos. Este modelo explica cuantitativamente bien la cinética de evolución de los espectros medidos de fotoluminiscencia y resonancia paramagnética electrónica.

Biografía del autor

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Santiago del Estero 2829 – 3000 Santa Fe, Argentina.
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Santiago del Estero 2829 – 3000 Santa Fe, Argentina.
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Santiago del Estero 2829 – 3000 Santa Fe, Argentina.
Güemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.
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Güemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.
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Santiago del Estero 2829 – 3000 Santa Fe, Argentina.
Güemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.
Publicado
2004-06-19
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OLMOS, G. et al. DECAIMIENTO DE LA FOTOLUMINISCENCIA EN SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO OBTENIDO A PARTIR DE MATERIAL TIPO N DE ALTA RESISTIVIDAD. ANALES AFA, [S.l.], v. 16, n. 1, jun. 2004. ISSN 1850-1168. Disponible en: <https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/315>. Fecha de acceso: 06 feb. 2023