CORRELACIÓN DE MODELOS DE TRANSPORTE DE VRH PARA MUESTRAS DE SILICIO MICROCRISTALINO DOPADAS CON BORO

  • A. Dussàn INTEC – CONICET.
  • R. H. Buitrago INTEC – CONICET. Facultad de Ingeniería Química, UNL.
  • J. A. Schmidt INTEC – CONICET. Facultad de Ingeniería Química, UNL.

Resumen

En este trabajo se realizaron medidas de conductividad en un amplio rango de temperaturas (120 < T < 420 K) a películas delgadas de silicio microcristalino compensadas con Boro. Se estableció que el mecanismo de transporte para todas las muestras, en la región de altas temperaturas (T > 300K), presenta un comportamiento térmicamente activado con una única energía de activación que cambia con el grado de compensación. Para la región de bajas temperaturas se encontró que el transporte de portadores es controlado por Hopping de Rango Variable (VRH), con excepción de la muestra con concentración de Boro más baja. Se presenta un método desarrollado denominado Modelo Difusional que permite calcular los parámetros de hopping y correlacionarlos con los obtenidos a partir de la teoría de percolación, obteniendo a su vez un factor numérico que los corrige.

Biografía del autor

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Guemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.
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Guemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.
Santiago del Estero 2829, 3000 Santa Fe.
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Guemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.
Santiago del Estero 2829, 3000 Santa Fe.
Publicado
2004-06-19
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DUSSÀN, A.; BUITRAGO, R. H.; SCHMIDT, J. A.. CORRELACIÓN DE MODELOS DE TRANSPORTE DE VRH PARA MUESTRAS DE SILICIO MICROCRISTALINO DOPADAS CON BORO. ANALES AFA, [S.l.], v. 16, n. 1, jun. 2004. ISSN 1850-1168. Disponible en: <https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/319>. Fecha de acceso: 06 feb. 2023