VOLUMEN DE FORMACIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES

Autores/as

  • J. R. Fernández Comisión Nacional de Energía Atómica.
  • A. M. Monti Comisión Nacional de Energía Atómica.

Resumen

Se presentan valores calculados mediante téncias de simulación por computadora, del tensor dipolar de fuerzas y del volumen de relajación de defectos puntuales en redes fcc (Al, Ni, Ni3Al) y hcp (Mg, Ti, Zr ). Para éstas, se comparan resultados dados por potenciales interatómicos de pares y por potenciales de n-cuerpos. Si bien la respuesta de la red depende del tipo de interacción, se remarcan ciertas diferencias cuantitativas debidas a las propiedades del material.

Biografía del autor/a

J. R. Fernández, Comisión Nacional de Energía Atómica.

Departamento Ciencia de los Materiales.

A. M. Monti, Comisión Nacional de Energía Atómica.

Departamento Ciencia de los Materiales.

Descargas

Publicado

2013-09-17