VOLUMEN DE FORMACIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES

Autores/as

  • J. R. Fernández Comisión Nacional de Energía Atómica.
  • A. M. Monti Comisión Nacional de Energía Atómica.

Resumen

Se presentan valores calculados mediante téncias de simulación por computadora, del tensor dipolar de fuerzas y del volumen de relajación de defectos puntuales en redes fcc (Al, Ni, Ni3Al) y hcp (Mg, Ti, Zr ). Para éstas, se comparan resultados dados por potenciales interatómicos de pares y por potenciales de n-cuerpos. Si bien la respuesta de la red depende del tipo de interacción, se remarcan ciertas diferencias cuantitativas debidas a las propiedades del material.

Biografía del autor/a

J. R. Fernández, Comisión Nacional de Energía Atómica.

Departamento Ciencia de los Materiales.

A. M. Monti, Comisión Nacional de Energía Atómica.

Departamento Ciencia de los Materiales.

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Publicado

2013-09-17

Cómo citar

Fernández, J. R., & Monti, A. M. (2013). VOLUMEN DE FORMACIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES. ANALES AFA, 3(1). Recuperado a partir de https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/1534