VOLUMEN DE FORMACIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES

Abstract

Se presentan valores calculados mediante téncias de simulación por computadora, del tensor dipolar de fuerzas y del volumen de relajación de defectos puntuales en redes fcc (Al, Ni, Ni3Al) y hcp (Mg, Ti, Zr ). Para éstas, se comparan resultados dados por potenciales interatómicos de pares y por potenciales de n-cuerpos. Si bien la respuesta de la red depende del tipo de interacción, se remarcan ciertas diferencias cuantitativas debidas a las propiedades del material.