ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE ÓXIDOS DE GaAs

Abstract

Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO4, As2O5 y GO3. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las respectivas estructuras de bandas utilizando un método tight-binding. Se identifican los estados atómicos que contribuyen a cada pico experimental y se correlacionan las diferencias estructurales entre estos óxidos con los diferentes rasgos experimentales exhibidos en los espectros XPS.